El propósito del dopaje

En la fabricación de semiconductores, el dopaje se considera un proceso tecnológico integral (junto con la deposición y el grabado). Su objetivo principal es corregir el tipo de conductividad y la concentración de portadores en el semiconductor para lograr ciertas propiedades (para obtener la suavidad deseada de la unión pn). Los elementos más comunes para dopar el silicio son el fósforo P y el arsénico As (para obtener la conductividad tipo n) y el boro B (tipo p).

métodos de dopaje

Actualmente se conocen tres técnicas de dopaje diferentes: implantación de iones, termodifusión y dopaje por transmutación de neutrones.

Precio de compra

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